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2015全民英檢報名時間 gept報名時間 gept試題 gept中級試題▲聯電與英商安謀(ARM)合推超低功耗物理IP解決方案。(資料照/記者高振誠攝)
記者高振誠/新竹報導
聯電(2303)攜手處理器矽智財(IP)大廠安謀(ARM),雙方共同宣布ARM Artisan實體矽智財(PHY IP)解決方案新進展,加速以ARM處理器為核心嵌入式系統和物聯網相關應用發展。
聯電55奈米超低功耗製程(55ULP)技術,主打物聯網應用的低耗能最佳解決方案,最新推出實體IP產品將有助於晶片設計團隊,加速並簡化為物聯網和其他嵌入式系統開發ARM系統單晶片(SoC)。
聯電表示,對許多講求低耗電應用而言,盡可能最大化電池使用壽命是成功設計的關鍵。Artisan實體IP平台將強化聯電的ULP技術,最大化電源效率和降低漏電功耗,主要功能如支援厚閘極氧化層(thick gateo xide)和多通道長元件庫,讓SoC工程師能運用各種工具實現物聯網應用的最佳化設計。
ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey指出,完整的實體IP基礎平台對聯電55ULP製程實現物聯網應用低功耗和低成本設計至關重要。針對低功耗所需的最佳化元件庫,ARM和聯電提供SoC工程師一套完善的全新開發工具。
2015全民英檢報名時間 全民英檢初級線上測驗 全民英檢初級單字測驗 全民英檢初級考古題聯電矽智財研發暨設計支援處資深處長林世欽表示,物聯網晶片工程師經常被要求以更快的速度,設計出更省電的高度整合解決方案。聯電擁有晶圓專工產業最強大的物聯網專用55奈米技術平台,全面且完整的IP資源可以滿足物聯網產品永遠連線且超低耗電的要求。聯電55ULP平台納入Artisan實體2015全民英檢報名時間 國小英語檢測題目 國小英語檢測 bulats劍橋職場英語檢測考古題IP後,可立即增加工具選項,可有效降低設計的複雜度並且加速上市時程。
聯電55ULP實體IP即日起於ARM DesignStart網站供貨,其中的Art isan元件庫將支援0.9v超低電壓範圍,和1.2v電壓範圍操作相比,最高可節省44%動態電力和25%漏電功耗,此外,該元件庫的多通道元件庫提供各種臨界電壓(Vt)選項,可讓SoC工程師在漏電功耗和效能之間有多種組合選擇。長通道元件庫可進一步降低高達80%的漏電,電源管理工具組(PMK)可減少動態電力和漏電的損失。
至於次世代高密度記憶體編譯器,則可提供多重電力整合模式,在極小化待機漏電功耗時保留存儲狀態。運用這些模2015全民英檢報名時間 全民英語檢定測驗 全民英語檢定考試日期 英語檢定考試報名式,SoC工程師可比一般待機減少高達95%的漏電。
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